Gain
13.1dB
Упаковка
Bulk
Статус детали
Obsolete
Мощность - Макс
220mW
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Bipolar RF Transistors |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Gain | 13.1dB |
| Серия | - |
| Упаковка | Bulk |
| Статус детали | Obsolete |
| Мощность - Макс | 220mW |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / Дело | SOT-343F |
| Transistor Type | NPN |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Частота - Переход | 110GHz |
| Упаковка устройства поставщика | 4-DFP |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин) @ Ic, Vce | 155 @ 10mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
Корпус
-
MSL
-