Упаковка
Bulk
Статус детали
Active
Мощность - Макс
325 mW
Тип монтажа
Surface Mount
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Single Bipolar Transistors |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Серия | - |
| Упаковка | Bulk |
| Статус детали | Active |
| Мощность - Макс | 325 mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / Дело | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | NPN |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Частота - Переход | 190MHz |
| Упаковка устройства поставщика | DFN1010D-3 |
| Сaturation Vce (Макс) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Текущий - Отключение коллектора (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Корпус
-
MSL
-