MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

FDS6612A

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

Серия
PowerTrench®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
Производительonsemi
Оценка-
СерияPowerTrench®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиObsolete
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Базовый номер продуктаFDS6612
Рабочая температура-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products