MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAKВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

NTMJS1D3N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK

FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
Производительonsemi
Оценка-
Серия-
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоSOT-1205, 8-LFPAK56
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 170µA
Базовый номер продуктаNTMJS1
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 128W (Tc)
Упаковка устройства поставщика8-LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Ta), 235A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products