MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFNВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

NTTFS1D2N02P1E

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+16V, -12V
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
Производительonsemi
Оценка-
Серия-
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+16V, -12V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 934µA
Базовый номер продуктаNTTFS1
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max)820mW (Ta), 52W (Tc)
Упаковка устройства поставщика8-PQFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4040 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 180A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products