MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6В наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

RQ6E080AJTCR

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительRohm Semiconductor
Оценка-
Серия-
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±12V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA
Базовый номер продуктаRQ6E080
Рабочая температура150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
Упаковка устройства поставщикаTSMT6 (SC-95)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products