MOSFET N-CH 650V 20A D2PAKВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

STB30N65M2AG

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

Оценка
Automotive
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительSTMicroelectronics
ОценкаAutomotive
Серия-
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиLast Time Buy
Тип монтажаSurface Mount
КвалификацияAEC-Q101
Упаковка / ДелоTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Базовый номер продуктаSTB30
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаTO-263 (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products