MOSFET N-CH 650V 8A DPAKВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

STD12N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

Серия
MDmesh™ M2
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительSTMicroelectronics
Оценка-
СерияMDmesh™ M2
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Базовый номер продуктаSTD12
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)85W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products