IC Onlineerai
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SISRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS

Серия
π-MOSVII
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tube
Vgs (Max)
±30V
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
Оценка-
Серияπ-MOSVII
FET TypeN-Channel
УпаковкаTube
Vgs (Max)±30V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиObsolete
Тип монтажаThrough Hole
Квалификация-
Упаковка / ДелоTO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Базовый номер продуктаTK6A60
Рабочая температура150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max)40W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаTO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products