MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3В наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Серия
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительVishay Siliconix
Оценка-
СерияTrenchFET®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±8V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Базовый номер продуктаSI2302
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max)710mW (Ta)
Упаковка устройства поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products