MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

SI9926CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Статус деталиActive
Мощность - Макс3.1W
ПроизводительVishay Siliconix
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Базовый номер продуктаSI9926
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Корпус
-
MSL
-

Related Products