MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAKВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

SISS94DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Серия
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительVishay Siliconix
Оценка-
СерияTrenchFET®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоPowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Базовый номер продуктаSISS94
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max)5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаPowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products