MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Изображения только для справки

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Оценка
Automotive
Серия
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технический паспорт (PDF)

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительVishay Siliconix
ОценкаAutomotive
СерияTrenchFET®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиObsolete
Тип монтажаSurface Mount
КвалификацияAEC-Q101
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Базовый номер продуктаSQ4850
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max)6.8W (Tc)
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products