Mô-đun điều khiển công suất
4 Sản phẩm

Hình ảnhSố hiệuNhà sản xuấtMô tảTình trạngThao tác
IPM 1.2KV 100A SOT-227-4
PDF
GA100SICP12-227GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 100A SOT-227-4
Còn hàng
MOQ: 1
Di chuột để báo giá
IPM 1.2KV 10A TO-247-3
PDF
GA10SICP12-247GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 10A TO-247-3
Còn hàng
MOQ: 1
Di chuột để báo giá
IPM 1.2KV 20A TO-263-8
PDF
GA20SICP12-263GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 20A TO-263-8
Còn hàng
MOQ: 1
Di chuột để báo giá
IPM 1.2KV 50A SOT-227-4
PDF
GA50SICP12-227GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 50A SOT-227-4
Còn hàng
MOQ: 1
Di chuột để báo giá

Mô-đun điều khiển công suất cung cấp vỏ bọc vật lý cho các thành phần công suất, thường là IGBT và MOSFET trong cấu hình half-bridge (cầu bán phần) hoặc cấu hình một, hai hoặc ba pha. Các linh kiện bán dẫn công suất hoặc die được hàn hoặc ghép bằng phương pháp sinter lên một substrate (đế) mang các thiết bị bán dẫn công suất, đồng thời cung cấp tiếp xúc điện và nhiệt cũng như cách điện khi cần thiết. Mô-đun công suất cho mật độ công suất cao hơn và trong nhiều trường hợp đáng tin cậy hơn và dễ làm mát hơn.