Chuỗi
SiC Power
Bao bì
Bulk
Công nghệ
Silicon Carbide (SiC)
Trạng thái linh kiện
Active
Tuân thủ RoHS
Vì sao chọn chúng tôi
Bảo hành chất lượng
Đảm bảo chất lượng
An toàn ESD
Chống tĩnh điện
Giao hàng toàn cầu
Giao hàng nhanh
Phản hồi nhanh
RFQ nhanh
Yêu cầu báo giá
Không hiển thị giá? Gửi RFQ, chúng tôi sẽ phản hồi ngay.
MOQ1 chiếc
Đóng gói chuyên nghiệp
Đóng gói gốc
Niêm phong nhà máy, khay ESD
Bảo vệ chống ẩm
Thẻ chỉ báo độ ẩm và silica gel đi kèm
Hút chân không
Túi chắn ẩm, bơm nitơ
Đóng gói an toàn
Xốp chống rung, nhãn chống sốc
| Tham số | Giá trị |
|---|---|
| Danh mục | FET, MOSFET Arrays |
| Nhà sản xuất | GE Aerospace |
| Chuỗi | SiC Power |
| Bao bì | Bulk |
| Công nghệ | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Trạng thái linh kiện | Active |
| Công suất - Max | 3.75kW |
| Nhà sản xuất | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Loại lắp đặt | Chassis Mount |
| Trình độ | AEC-Q101 |
| Gói / Trường hợp | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480mA |
| Số sản phẩm cơ bản | GE17140 |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3621nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82nF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.275kA |
Vỏ
-
MSL
-