MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFNRoHS / Tuân thủ

Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo

GT090N06D52

MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN

Chuỗi
SGT
Bao bì
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Trạng thái linh kiện
Active
Bảng dữ liệu (PDF)
Tuân thủ RoHS

Vì sao chọn chúng tôi

Bảo hành chất lượng
Đảm bảo chất lượng
An toàn ESD
Chống tĩnh điện
Giao hàng toàn cầu
Giao hàng nhanh
Phản hồi nhanh
RFQ nhanh

Đóng gói chuyên nghiệp

Đóng gói gốc

Niêm phong nhà máy, khay ESD

Bảo vệ chống ẩm

Thẻ chỉ báo độ ẩm và silica gel đi kèm

Hút chân không

Túi chắn ẩm, bơm nitơ

Đóng gói an toàn

Xốp chống rung, nhãn chống sốc

Tham sốGiá trị
Danh mụcFET, MOSFET Arrays
Nhà sản xuấtGoford Semiconductor
ChuỗiSGT
Bao bìTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Trạng thái linh kiệnActive
Công suất - Max62W (Tc)
Nhà sản xuấtGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Loại lắp đặtSurface Mount
Gói / Trường hợp8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Số sản phẩm cơ bảnGT090N06
Nhiệt độ hoạt động-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 14A, 10V
Gói thiết bị nhà cung cấp8-DFN (4.9x5.75)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Vỏ
-
MSL
-

Related Products