MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOICRoHS / Conformidad

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ALD1115SAL

MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
Potencia - Max
500mW
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
Serie-
EmbalajeTube
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max500mW
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
ConfigurationN and P-Channel Complementary
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1µA
Número de producto baseALD1115
Temperatura de operación0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1800Ohm @ 5V
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Paquete
-
MSL
-

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