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Serie
EPAD®, Zero Threshold™
Embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
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Logic Level Gate
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Embalaje | Tube |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 500mW |
| Fabricante | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| Número de producto base | ALD212914 |
| Temperatura de operación | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
Paquete
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MSL
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