MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFNRoHS / Conformidad

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AONP36320

MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFN

Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
Potencia - Max
3.3W (Ta), 50W (Tc)
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR)
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max3.3W (Ta), 50W (Tc)
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Número de producto baseAONP363
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V, 3mOhm @ 20A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor8-DFN-EP (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V, 1650pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 100A (Tc), 27A (Ta), 103A (Tc)
Paquete
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MSL
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