BY25FQ16ESSIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Packaging
Tape & Reel (TR)
Technology
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Memory Size
16Mbit
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ParámetroValor
CategoríaMemory
FabricanteBYTe Semiconductor
Grade-
Series-
PackagingTape & Reel (TR)
TechnologyFLASH - NOR
Access Time5 ns
Memory Size16Mbit
Memory TypeNon-Volatile
Part StatusActive
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Qualification-
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Paquete
-
MSL
-

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