BY25FQ16ESSIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Tamaño de memoria
16Mbit
Hoja de datos (PDF)
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Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaMemory
FabricanteBYTe Semiconductor
Grado-
Serie-
EmbalajeTape & Reel (TR)
TecnologíaFLASH - NOR
Access Time5 ns
Tamaño de memoria16Mbit
Tipo de memoriaNon-Volatile
Estado de la piezaActive
Memory FormatFLASH
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / Caso8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Voltaje - Suministro2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Temperatura de operación-40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Paquete
-
MSL
-

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