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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | JFETs |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tray |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 1.8 W |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Resistance - RDS(On) | 60 Ohms |
| Temperatura de operación | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Current Drain (Id) - Max | 50 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 2 V @ 1 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25 mA @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 20V |
Paquete
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MSL
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