Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Obsolete
Potencia - Max
350mW
Fabricante
Central Semiconductor Corp
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Bipolar RF Transistors |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Gain | - |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 350mW |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Temperatura de operación | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 600MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92 |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Paquete
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MSL
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