Serie
eGaN®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Potencia - Max | - |
| Fabricante | EPC |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Número de producto base | EPC210 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
Paquete
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MSL
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