MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIEEn stockRoHS / Conformidad

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EPC2105

MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE

Serie
eGaN®
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteEPC
SerieeGaN®
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Estado de la piezaLast Time Buy
Potencia - Max-
FabricanteEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Número de producto baseEPC210
Temperatura de operación-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Paquete de dispositivo del proveedorDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A, 38A
Paquete
-
MSL
-

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