MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEn stockRoHS / Conformidad

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EPC2106

MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

Serie
eGaN®
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza
Active
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteEPC
SerieeGaN®
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max-
FabricanteEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 600µA
Número de producto baseEPC210
Temperatura de operación-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Paquete de dispositivo del proveedorDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.73nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A
Paquete
-
MSL
-

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