Serie
eGaN®
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Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT)
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GaNFET (Gallium Nitride)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | - |
| Fabricante | EPC |
| Configuration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Número de producto base | EPC210 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
Paquete
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MSL
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