GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIEEn stockRoHS / Conformidad

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EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

FET Type
N-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
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ParámetroValor
CategoríaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteEPC
Grado-
Serie-
FET TypeN-Channel
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 6mA
Temperatura de operación-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Paquete de dispositivo del proveedorDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1790 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta)
Paquete
-
MSL
-

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