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eGaN®
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N-Channel
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | EPC |
| Grado | - |
| Serie | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | 7-PowerWQFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Número de producto base | EPC2305 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 30A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 7-QFN (3x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.6 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4165 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 102A (Tj) |
Paquete
-
MSL
-