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N-Channel
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Obsolete
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | JFETs |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Grado | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 282 W |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-247-3 |
| Resistance - RDS(On) | 50 mOhms |
| Temperatura de operación | 175°C |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 45 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2 kV |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1 µA @ 1.2 kV |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3825pF @ 800V |
Paquete
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MSL
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