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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Bridge Rectifiers |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Diode Type | Single Phase |
| Tecnología | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 4-SIP, GBJ |
| Número de producto base | GBJ10 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | GBJ |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 600 V |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10 A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 5 A |
Paquete
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MSL
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