Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Embalaje
Bulk
Tecnología
Schottky
Estado de la pieza
Active
Conforme RoHS
Por qué elegirnos
Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotización
¿No se muestra el precio? Envíe una RFQ y le responderemos de inmediato.
MOQ1 uds.
Embalaje profesional
Embalaje original
Sellado de fábrica, bandeja ESD
Protección con desecante
Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos
Sellado al vacío
Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno
Embalaje seguro
Espuma antivibración, etiquetado antigolpes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Tecnología | Schottky |
| Estado de la pieza | Active |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Twin Tower |
| Número de producto base | MBR200200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Voltaje - DC Inverso (Vr) (Máx) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Paquete
-
MSL
-