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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Tecnología | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Twin Tower |
| Número de producto base | MUR20020 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Voltaje - DC Inverso (Vr) (Máx) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Paquete
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MSL
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