Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Serie | TrenchFET® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 2.5W (Tc), 1.9W (Tc) |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Configuration | N and P-Channel |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Número de producto base | G05N |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 37nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc), 3.1A (Tc) |
Paquete
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MSL
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