MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOPEn stockRoHS / Conformidad

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G200P04S2

MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP

Serie
G
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza
Active
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ParámetroValor
CategoríaFET, MOSFET Arrays
FabricanteGoford Semiconductor
SerieG
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Potencia - Max2.1W (Tc)
FabricanteGoford Semiconductor
Configuration2 P-Channel (Dual)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Número de producto baseG200
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2365pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Paquete
-
MSL
-

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