Serie
TrenchFET®
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Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Serie | TrenchFET® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 2W (Tc), 2.8W (Tc) |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Número de producto base | G461 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V, 13nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 20V, 520pF @ 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc), 7A (Tc) |
Paquete
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MSL
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