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8B ~ 30.5dB
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Bipolar RF Transistors |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Gain | 8B ~ 30.5dB |
| Serie | - |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 200mW |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 4-SMD, Flat Leads |
| Transistor Type | NPN |
| Número de producto base | BFP 640 |
| Temperatura de operación | - |
| Frecuencia - Transición | 46GHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-TSFP |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Paquete
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MSL
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