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HEXFET®
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Grado | - |
| Serie | HEXFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tube |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2417 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
Paquete
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MSL
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