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HEXFET®
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Grado | - |
| Serie | HEXFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalaje | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | DirectFET™ Isometric MN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10.3A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MN |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2210 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Paquete
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MSL
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