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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 2.1W |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | DirectFET™ Isometric MC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Número de producto base | IRF9395 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 14A, 10V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3241pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A |
Paquete
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MSL
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