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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Bipolar RF Transistors |
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Gain | 7dB |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 583W |
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | 55AT |
| Transistor Type | NPN |
| Temperatura de operación | 200°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 55AT |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Paquete
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MSL
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