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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP Semiconductors |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 420 mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-UDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | NPN |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 170MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN2020D-3 |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 600mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Paquete
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MSL
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