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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP Semiconductors |
| Grade | Automotive |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 55MHz |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Paquete
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MSL
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