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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP Semiconductors |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | NPN |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Paquete
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MSL
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