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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP Semiconductors |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Max | 325 mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | PNP |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 170MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Paquete
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MSL
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