Embalaje
Tape & Box (TB)
Estado de la pieza
Obsolete
Potencia - Max
830 mW
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Through Hole
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Embalaje | Tape & Box (TB) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 830 mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Transistor Type | PNP |
| Número de producto base | BC64 |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 145MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Paquete
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MSL
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