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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Embalaje | Bulk |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Max | 625 mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Transistor Type | NPN |
| Número de producto base | 2N5551 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 300MHz |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92 (TO-226) |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Corriente - Corte de colector (Máx) | 50nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Paquete
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MSL
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