MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICEn stockRoHS / Conformidad

Las imágenes son solo de referencia

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Serie
PowerTrench®
FET Type
P-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Hoja de datos (PDF)
Conforme RoHS

Por qué elegirnos

Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida

Embalaje profesional

Embalaje original

Sellado de fábrica, bandeja ESD

Protección con desecante

Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos

Sellado al vacío

Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno

Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaSingle FETs, MOSFETs
Fabricanteonsemi
Grado-
SeriePowerTrench®
FET TypeP-Channel
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Número de producto baseFDS6675
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2470 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Paquete
-
MSL
-

Related Products