MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFNEn stockRoHS / Conformidad

Las imágenes son solo de referencia

NTTFS1D8N02P1E

MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN

FET Type
N-Channel
Embalaje
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+16V, -12V
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Hoja de datos (PDF)
Conforme RoHS

Por qué elegirnos

Garantía de calidad
Garantía de calidad
Seguro ESD
Protección antiestática
Envío mundial
Entrega rápida
Respuesta rápida
RFQ rápida

Embalaje profesional

Embalaje original

Sellado de fábrica, bandeja ESD

Protección con desecante

Tarjeta indicadora de humedad y gel de sílice incluidos

Sellado al vacío

Bolsa barrera de humedad, rellena de nitrógeno

Embalaje seguro

Espuma antivibración, etiquetado antigolpes

ParámetroValor
CategoríaSingle FETs, MOSFETs
Fabricanteonsemi
Grado-
Serie-
FET TypeN-Channel
EmbalajeTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+16V, -12V
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Estado de la piezaActive
Tipo de montajeSurface Mount
Calificación-
Paquete / Caso8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 700µA
Número de producto baseNTTFS1
Temperatura de operación-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)800mW (Ta), 48W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor8-PQFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3159 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 152A (Tc)
Paquete
-
MSL
-

Related Products