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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Diode Arrays |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Grado | - |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Embalaje | Tube |
| Tecnología | Schottky |
| Estado de la pieza | Active |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | TO-220-3 |
| Número de producto base | MBR20150 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 150 V |
| Voltaje - DC Inverso (Vr) (Máx) | 150 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.23 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
Paquete
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MSL
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