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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Grado | - |
| Serie | - |
| Embalaje | Tube |
| Tipo de entrada | DC |
| Tipo de salida | Transistor |
| Estado de la pieza | Active |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Calificación | - |
| Paquete / Caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Número de canales | 1 |
| Voltaje - Aislamiento | 5000Vrms |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 125°C |
| Tiempo de subida/bajada (Típico) | 2µs, 3µs |
| Voltaje - Salida (Máx) | 80V |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP |
| Actual - Salida / Canal | 50mA |
| Current Transfer Ratio (Max) | 150% @ 5mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 50% @ 5mA |
| Voltaje - Directo (Vf) (Típico) | 1.25V |
| Turn On / Turn Off Time (Typ) | 3µs, 3µs |
| Actual - DC Adelante (Si) (Máx) | 50 mA |
Paquete
-
MSL
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